IBM desarrolla un transistor de grafeno que alcanza los 100 GHz

El gigante azul ha anunciado que IBM Research, ha desarrollado un transistor fabricado en grafeno capaz de alcanzar una frecuencia de 100 GHz.

El grafeno es una estructura laminar plana de un átomo de grosor, compuesta por átomos de carbono densamente empaquetados en una red cristalina en forma de panal de abeja mediante enlaces covalentes, que se forman a partir de la superposición de los híbridos sp2 de los carbonos enlazados.

El nombre de grafeno proviene de grafito + eno, y es que el grafito, es una estructura compuesta de una enorme pila de láminas de grafeno.

Las propiedades de este material, permiten una mejor conducción, y esta es una de las razones que ha permitido a IBM alcanzar los 100 GHz.

Esta investigación ha sido realizada por Phaedon Avouris, director de ciencia a escala nanométrica del equipo de investigación de tecnología en IBM.

                                                         Phaedon Avouris/ Credit: Trends in Technology

La industria fabricante de procesadores, ha alcanzado el límite de la capacidad del silicio, material con el que se fabrican las CPU actuales. El carbono es considerado como un posible remplazo del silicio, y es por ello por lo que importantes investigaciones de grandes tecnológicas, centran su trabajo en este material. El transistor que ha desarrollado IBM basándose en el grafeno, ha quedado demostrado que es más rápido que los transistores que se fabrican actualmente.

 

Credit: Nescom.

Está previsto que los detalles de la investigación sean publicados en la revista Science. A continuación un estracto del documento de IBM: La movilidad de los portadores en el grafeno, lo convierten en un candidato prometedor para la alta velocidad de los dispositivos electrónicos. Este material conductor es lo más delgado posible (de solo átomo de grosor). Con el grafeno se conseguirán fabricar los transistores más pequeños y rápidos, que se hayan fabricado hasta ahora con materiales semiconductores.

La prueba de demostración de concepto de la electrónica basada en el grafeno, ha sido proporcionada para demostrar el funcionamiento de CC de los transistores de efecto de campo (FET) – El bloque de construcción fundamental de la microelectrónica moderna – con ayuda de flakes de grafeno extraídos de grafito natural, y más recientemente, láminas de grafeno producidas por la descomposición de la superficie de carburo de silicio (SiC) sustratos o por deposición química de vapor de los hidrocarburos en superficies catalíticas de metales.

A pesar de las grandes esperanzas y demandas para el debut de la era de la electrónica sobre el carbono en la última década, faltan pruebas críticas para evaluar la viabilidad de este nuevo material para aplicaciones prácticas, desafíos de demostración de alta velocidad (frecuencia de radio, RF), los dispositivos de grafeno de alto rendimiento, y compatibilidad con la oblea de fabricación de escala que permitan la integración de circuitos complejos.

Enlace:
http://www.gigle.net/ibm-desarrolla-un-transistor-de-grafeno-que-alcanza-los-100-ghz/
Nombre y Apellido: Kevin A. Sánchez L.
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